学术交流

廖蕾: 二维半导体电子器件

时间:2019-11-12来源:

报告时间:2019年11月19日(星期二)16:00-17:00

报告地点:翡翠湖校区科教楼第五会议室

:廖蕾 教授

工作单位:湖南大学物理与微电子科学学院

举办单位:电子科学与应用物理学院/微电子学院

报告人简介

廖蕾,湖南大学教授。2004年,获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位;2009年,获武汉大学材料物理与化学专业博士学位。其间,在中国科学院物理研究所联合培养,后赴新加坡南洋理工大学开展合作研究。2009年至2011年,在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作,2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理学院工作,2017年1月加入湖南大学物理与微电子科学学院。在Nature、Nature Commun.、PNAS、Nano Lett.和Adv. Mater.等学术期刊发表SCI论文150余篇,H因子61,他人引用大于10000次。授权中国发明专利5项。先后获得Scopus“青年科学家之星”奖(2011),国家自然基金优秀青年科学基金(2012),中组部青年拔尖人才计划(2015),国家杰出青年科学基金(2019)。

报告简介

晶体管是现代信息技术中最重要的发明之一,是所有现代电路的关键主动元件。一直以来,晶体管沿着摩尔定律的方向不断发展,缩小器件特征尺寸,增快器件开关速度。但是随着晶体管的沟道长度缩短至10纳米,短沟道效应和量子限域效应带来的影响已经不能忽略,沟道长度缩短与器件性能提升不能完全对应。因此为了保持晶体管的继续发展和克服短沟道效应带来的影响,对半导体材料的质量要求越来越高,厚度要求越来越薄。二维半导体材料成为克服短沟道效应的潜在候选之一。

报告将介绍二维半导体的异质集成与器件构筑;采用范德华异质集成和超薄缓冲层方法,抑制传统沉积技术产生的缺陷,降低栅介质/二维材料的界面缺陷密度,削弱金属/二维材料的钉扎效应,获得了高质量的器件界面。上述工作为二维半导体器件设计与构建提供了新的思路。

(鲁迎春/文)

编辑:徐小红

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