学术交流

何军: 金属硫族二维半导体材料及其异质结

时间:2019-11-12来源:

报告时间:2019年11月19日(星期二)17:00-18:00

报告地点:翡翠湖校区科教楼第五会议室

:何军 教授

工作单位:武汉大学物理科学与技术学院

举办单位:电子科学与应用物理学院/微电子学院

报告人简介

何军,武汉大学物理科学与技术学院教授(二级),国家杰出青年基金获得者、科技部重大研发计划首席科学家、中组部 “万人计划”中青年科技创新领军人才、科技部中青年科技创新领军人才。

研究方向及成果:1)新型低维半导体物理性质研究;2)基于新型低维半导体材料新原理、新结构的电子器件设计与制造;3)基于新型二维半导体材料及其异质结的下一代电子、光电子器件及其硅基集成研究。何军教授长期从事低维半导体材料及其器件应用研究。已发表SCI研究论文200多篇,其中包括Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances、Chemical Society Review、Nano Letters、Advance Materials、ACS Nano等影响因子大于10的通讯作者论文50余篇,论文引用超过6000次。现任Science Bulletin副主编,Elsevier旗下Materials Today Chemistry副主编,Elsevier旗下FlatChem编委,《自然》集团旗下杂志npj 2D materials and applications编委,英国物理学会IOP旗下Nanotechnology和Nano Futures编委。

报告简介

当材料的特征尺寸降低到纳米级别时,半导体就会展现出一些常规尺寸下所不具有的特性,例如量子限域效应、高的静电调控能力、以及强的光-物质相互作用。在众多的低维结构中,由于二维结构与传统微电子加工技术以及柔性基底具有非常好的兼容性,使得程二维结构的半导体材料在电子和光电子方面的革新浪潮中处于领导地位。因此,对二维半导体的研究具有重要意义。目前为止,本身具有层状和非层状结构的材料都可以以二维的形态被制备出来。其中,对于二维层状材料,尤其是过渡金属硫族化物的研究已经取得了很大的进展。然而,这方面的研究还仍处于初始阶段,很多重要问题还亟待解决,更系统深入的研究还有待进行。另外值得注意的是,由于大多数半导体都具有非层状的晶体结构,因此实现非层状半导体的二维生长将具有重要的意义。基于以上的问题和挑战,js345金沙城娱乐场线路的研究主要集中于二维金属硫族化物的设计、合成以及应用方面。在本报告中,js345金沙城娱乐场线路将集中讨论以下两个方面: 1. 二维层状金属硫族化合物的可控制备、物理性质以及电子和光电子方面的应用。2. 二维非层状材料的范德华外延、电子和光电子性质研究,包括CdTe、PbS以及Pb1-xSnxSe等纳米片。

(鲁迎春/文)

编辑:徐小红

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